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渡越時間器件
渡越時間器件是利用載流子在渡越漂移區的過程中所造成的輸出電流與電壓之間的相位差、再加上載流子注入的相位差來實現微波振盪的一種有源微波器件。
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雪崩觸發俘獲等離子渡越時間二極體
diode，Trapped 獲電漿模式；e）因為電漿可承受低電壓、大電流，故TRAPATT二極體的輸出功率和效率都很高——是高功率、高效率的一種...
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碰撞電離雪崩渡越時間二極體
這是一種重要的微波、毫米波有源器件。它是利用了雪崩倍增和漂移渡越這兩種過程所造成的延遲作用來產生振盪的。
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半導體器件
半導體器件是導電性介於良導電體與絕緣體之間，利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。半...
簡介 分類 命名方法 積體電路 光電器件 -
雪崩二極體
雪崩二極體是利用半導體結構中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應而產生負阻的固體微波器件。
簡介 工作原理 -
雙速度渡越時間二極體
定義;由於少數載流子的存貯效應和＂本徵＂層中的渡越時間 利用雪崩擊穿對晶體注入載流子... 台面型和平面型二極體。
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隧穿渡越時間二極體
隧穿渡越時間二極體，TUNNETT diode（Tunn Time
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半導體中的雪崩倍增效應
半導體中的雪崩倍增效應：半導體中的雪崩倍增效應通常用電離率來描述碰撞電離效應的強弱。它定義為一個載流子通過單位距離平均所產生的電子空穴對的數目。電離率強...
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勢壘注入渡越時間二極體
勢壘注入渡越時間二極體（BARITT diode，Barrier Injection Transit Time Diode）與IMPATT（雪崩注入渡越...
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微電子器件基礎
《微電子器件基礎》是2005年湖南大學出版社出版的圖書，作者是曾雲。
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