橫向擴散金屬氧化物半導體

橫向擴散金屬氧化物半導體（英語：LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor，縮寫：LDMOS）經常被用於微波/射頻電路，製造於高濃度摻雜矽基底的外延層上。
LDMOS常被用於製作基站的射頻功率放大器，原因是它可以滿足高輸出功率、柵源擊穿電壓大於60伏的要求。與其他器件（如GaAs場效應管）相比，LDMOS功放極大值的頻率相對較小。LDMOS技術的生產製造商包括TSMC、GLOBALFOUNDRIES、VIS、英飛凌、RFMD、Freescale Semiconductor等。