銦砷化鎵

GaAs,主要套用於電子半導體領域,電子在In GaAs製作的電晶體,傳輸電流是最先進的矽電晶體的2.5倍。 GaAs電晶體的尺寸僅僅為60納米。

一種材料, 化學符號為InGaAs,主要套用於電子半導體領域,電子在InGaAs中的傳輸速度是矽的數倍。MIT的MTL(微系統實驗室)最近演示了用InGaAs製作的電晶體,傳輸電流是最先進的矽電晶體的2.5倍。而InGaAs電晶體的尺寸僅僅為60納米。InGaAs電晶體的優點是能夠減少晶片尺寸,提高信息處理的速度.廣泛用於探測器!

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