![趙正平[電子研究所所長]](/img/4/65d/nBnauM3X4gDMwUjNwkTNyEjMyUTMxgTN1gTMwADMwAzMwIzL5UzL1czLt92YucmbvRWdo5Cd0FmLwE2LvoDc0RHa.jpg "趙正平[電子研究所所長]")
個人履歷
譚瑞松代表航空工業對趙正平董事表示衷心感謝 1970年3月-1979年9月，河北井陘電訊器材廠任二級管車間主任、廠技術員。
1979年9月-1982年12月，在南京工學院電子工程系攻讀碩士研究生。
1982年12月南京工學院碩士研究生畢業。
1982年12月-2002年5月，在電子第十三研究所工作,歷任課題組長、研究室副主任、主任、主管科研副所長。
2000年聘為國家863信息領域專家委專家。
2002年3月3-2008年5月，在中國電子科技集團公司任黨組成員兼總經理助理。
2005年5月任黨組成員兼副總經理。
2006年10月科技部聘為“核高基”國家科技重大專項實施方案編制專家組專家。
2003年1月起任中國電子科技集團公司科技委任副主任。
曾任信息產業部電子第十三研究所所長，研究員級高級工程師，享受政府特殊津貼專家，國家級有突出貢獻中青年專家。
2018年3月，離任航空工業集團公司董事。
社會兼職
總裝備部軍用微電子專業組成員；
衛星有效載荷及套用技術專業成員；
中國半導體行業協會、中國半導體分立器件副理事長、理事長；
西安電子科技大學教授、博士生導師；
清華大學電子工程系客座教授、副博導。
科研領域
多年來一直從事砷化鎵積體電路與微米、鈉米技術研究，是該領域的專家和學術帶頭人。科研成果顯著，多項科研成果獲國家、省部級科技進步獎，其中："DX083-3/一體化固態功率放大器"獲國家科技進步二等獎和部級科技進步一等獎；"JGF353型9.0-9.8GHz場效應管單片集成放大器"獲國家科技進步三等獎；"烽火一號"UHF25W故態功率放大器獲部級科技進步二等獎；"CX631GaAs場效應電晶體"獲部級科技進步二等獎等。
發表論文多篇，其中："固態微小衛星的技術總體方案"、"21世紀初微電子技術發展展望"、"一種單片微波積體電路中心值設計方案"、"紅外電子隧道感測器的現狀及發展趨勢"、"GaAs IC CAD發展現狀與趨勢"等論文分別發表在《中國國防科學技術報告》、《半導體情報》、《清華大學學報》、《儀器儀表學報》等雜誌上。
個人榮譽
從事研究工作獲國家科技進步獎二、三等獎各一次，部科技進步獎一、二、三等獎六次。
1993年獲得政府特貼專家稱號。
1994年獲國家中青年專家稱號。
