蝕刻氣體

蝕刻的基本要求是，圖形邊緣整齊，線條清晰，圖形變換差小，且對光刻膠膜及其掩蔽保護的表面無損傷和鑽蝕。 乾法蝕刻所用氣體稱蝕刻氣體，通常多為氟化物氣體，例如四氟化碳，三氟化氮，六氟乙烷，全氟丙烷，三氟甲烷等。 乾法蝕刻由於蝕刻方向性強，工藝控制精確，方便，無脫膠現象，無基片損傷和沾污，所以其套用範圍日益廣泛。

蝕刻氣體(Etchinggases)
　氣體工業名詞，蝕刻就是把基片上無光刻膠掩蔽的加工表面如氧化矽膜，金屬膜等蝕刻掉，而使有光刻膠掩蔽的區域保存下來，這樣便在基片表面得到所需要的成像圖形。蝕刻的基本要求是，圖形邊緣整齊，線條清晰，圖形變換差小，且對光刻膠膜及其掩蔽保護的表面無損傷和鑽蝕。蝕刻方式有濕法化學蝕刻和乾法化學蝕刻。乾法蝕刻所用氣體稱蝕刻氣體，通常多為氟化物氣體，例如四氟化碳，三氟化氮，六氟乙烷，全氟丙烷，三氟甲烷等。乾法蝕刻由於蝕刻方向性強，工藝控制精確，方便，無脫膠現象，無基片損傷和沾污，所以其套用範圍日益廣泛。