編輯推薦
本書內容分為六部分:第一部分為半導體物理的基本理論。主要內容包括:半導體、晶格、能帶、載流子等基本概念;矽及砷化鎵物理學特性;P—N結及其特性。第二部分為半導體器件。主要內容包括:雙極型器件;MOS器件;微波與光電子器件。第三部分為半導體工藝。主要內容包括晶體生長、薄膜生長、光刻、腐蝕、擴散、注入等基本半導體工藝;雙極型積體電路工藝;MOS積體電路工藝。第四部分為積體電路設計。主要內容包括:設計方法;綜合與仿真。第五部分為MEMS。主要內容包括:MEMS概念與特點;MEMS工藝、器件與材料等。
內容簡介
全書涵蓋了微電子技術領域的基本內容,同時又介紹了該領域的一些較新的發展。
本書可作為電子科學與技術專業微電子技術方向的三、四年級本科生的專業英語教材,也可供相關專業的本科生和從事該專業領域的工程技術人員使用。
圖書目錄
Chapter 1 Semiconductors Physics
1.1 Energy Bands and Carrier Concentration
1.2 Carrier Transport Phenomena
1.3 PN Junction
1.4 Summary
參考文獻
Chapter 2 Semiconductor Device
2.1 Bipolar Junction Transistor
2.2 The MOSFET
2.3 Microwave
